據國外媒體報道稱，近日ASML CEO接受媒體采訪時表示，中國早已研發國產光刻設備。

在這位CEO看來，盡管中國在趕超ASML的技術方面還有很長的路要走，但美國出臺的打壓措施只會適得其反，讓中國“更努力取得成功”。他還稱，與其打壓中國等競爭對手，不如將注意力放在創新上。

“中國已經開始研發一些國產光刻設備，盡管中國在趕超ASML的技術方面還有很長的路要走，但你試圖阻止的人會更加努力地取得成功。”

在這之前，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。

中國科學院的這種技術最終獲得的激光平均功率為70mW，頻率為6kHz，線寬低于880MHz，半峰全寬(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一納米)，光譜純度與現有商用準分子激光系統相當。

基于此，甚至可用于3nm的工藝節點。

這種設計可以大幅降低光刻系統的復雜度、體積，減少對于稀有氣體的依賴，并大大降低能耗。

相關技術已經在國際光電工程學會(SPIE)的官網上公布。這種全固態DUV光源技術雖然在光譜純度上已經和商用標準相差無幾，但是輸出功率、頻率都還低得多。

對比ASML的技術，頻率贏達到了約2/3，但輸出功率只有0.7％的水平，因此仍然需要繼續迭代、提升才能落地。